SCR

การทำงานของ SCR ต้องพิจารณาในรูปวงจรสมมูล คือ วงจรทรานซิสเตอร์ 2 ตัวต่อชนกัน เพราะจะมองเห็นสภาวะการทำงานได้ชัดเจน และทำความเข้าใจได้ง่าย การจัดแรงดันไบอัสให้ทุกขาของ SCR เพื่อให้ SCR สามารถทำงานได้ มีกระแสไหลผ่านตัว SCR ต้องจ่ายแรงดันไบอัสให้ทุกขาของ SCR เป็นไบอัสตรง คือ ขา A จ่ายศักย์บวก (+) ขา K จ่ายศักย์ลบ (-) และขา G จ่ายศักย์บวก (+) เทียบกับขา K การทำงานของ SCR อธิบายเป็นลำดับได้ดังนี้
1. สภาวะไม่นำกระแสของ SCR
กรณีที่จ่ายแรงดันไบอัสให้ตัว SCR เฉพาะขา A กับขา K ส่วนขา G เปิดลอยไว้หรือถูกต่อลงกราวด์ วงจรแสดงดังรูป
จ่ายไบอัสเฉพาะขา A และขา K ทำให้ SCR ไม่นำกระแส
จากรูป เป็นการจ่ายไบอัสเฉพาะขา A และขา K ทำให้ SCR ขา G ยังคงเปิดลอยไว้ ทำให้ SCR ไม่นำกระแส เหตุผล เพราะ ขา G เปิดลอยส่งผลให้ขา B ของ Q2 เปิดลอยไม่มีไบอัสจ่าย (ดังรูป ข) ทำให้ Q2 ไม่นำกระแส ไม่มีแรงดัน ไบอัสจ่ายไปให้ขา B ของ Q1 ทำให้ Q1 ไม่นำกระแสด้วย SCR จึงไม่นำกระแส ไม่มีกระแสไหลในวงจร
2. สภาวะนำกระแสของ SCR
ไบอัสที่จ่ายให้ SCR มี 2 ส่วน คือ จ่ายไบอัสตรงให้ขา A และขา K หนึ่งชุด เรียกแรงดันส่วนนี้ว่า VAA โดยจ่ายบวกให้ขา A และจ่ายลบให้ขา K อีกส่วนหนึ่งเรียกว่า VGG โดยจ่ายบวกให้ขา G และจ่ายลบให้ขา K การจ่ายไบอัสให้ SCR ครบถ้วนและถูกต้องดังกล่าว SCR สามารถนำกระแสได้ ลักษณะวงจรไบอัส แสดงดังรูป
จ่ายไบอัสตรงครบทุกขา ของ SCR นำกระแส
จากรูป เป็นการจ่ายไบอัสตรงให้ SCR ครบทุกขา ทำให้ SCR นำกระแสได้ การทำงานอธิบายได้ดังนี้ ตามรูป (ข) เมื่อจ่ายแรงดันบวกให้ขา A จ่ายแรงดันลบให้ขา K และจ่ายแรงดันบวกให้ขา G เทียบกับขา K เกิดกระแสเกต ( IG ) ไหล และกระแสแอโนด ( IA ) ไหล คือ SCR นำกระแส เพราะการจ่ายแรงดันบวกให้ขา G ของ SCR เป็นการจ่ายไบอัสตรงให้ขา B ของ Q2 ทรานซิสเตอร์ Q2 นำกระแส ความต้านทานระหว่างรอยต่อขา C และขา E ของ Q1 ต่ำลง มีแรงดันลบจาก VAA จ่ายผ่านไปให้ขา B ของ Q1 ทรานซิสเตอร์ Q1 นำกระแสเช่นเดียวกัน ความต้านทานระหว่างรอยต่อขา C และขา E ของ Q1 ต่ำลง มีแรงดันบวกจาก VAA จ่ายผ่านไปให้ขา B ของ Q2 ทำให้เกิดกระแส IB1 และ IB2 ไหลผ่านตัวทรานซิสเตอร์ Q1 และ Q2 คือ กระแส IA ไหลผ่านตัว SCR กระแส IA นี้จะถูกจำกัดค่าโดยความต้านทาน RL ในขณะที่ SCR นำกระแสค่าความต้านทานในตัว SCR จะต่ำลงมาก ๆ

ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode)

ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode) ซีเนอร์ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่นำกระแสได้เมื่อได้รับไบอัสกลับ และระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งานได้เรียกว่า ระดับแรงดันพังทลายซีเนอร์ (Zener Breakdown Voltage ; Vz) คุณลักษณะของซีเนอร์ไดโอด จะเห็นได้ว่าขณะไบอัสซีเนอร์ไดโอด แรงดันไบอัสกลับ (Vr) จะมีค่าน้อยกว่า Vz เล็กน้อย ไดโอดประเภทนี้เหมาะที่จะนำไปใช้ควบคุมแรงดันที่โหลดหรือวงจรที่ต้องการแรงดันคงที่ เช่น ประกอบอยู่ในแหล่งจ่ายไฟเลี้ยง หรือโวลเทจเรกูเลเตอร์ ไดโอดวาแรกเตอร์หรือวาริแคป (Varactor or Varicap Diode) ไดโอดวาแรกเตอร์หรือวาริแคปเป็นไดโอดที่มีลักษณะพิเศษ คือ สามารถปรับค่าคาปาซิแตนซ์เชื่อมต่อ (Ct) ได้โดยการปรับค่าแรงดันไบอัสกลับ ไดโอดประเภทนี้มีโครงสร้างเหมือนกับไดโอดทั่วไปขณะแรงดันไบอัสกลับ (Reverse Bias Voltage ; Vr) มีค่าต่ำ Depletion Region จะแคบลงทำให้ Ct ครงรอบต่อมีค่าสูง แต่ในทางตรงข้ามถ้าเราปรับ Vr ให้สูงขึ้น Depletion Region จะขยายกว้างขึ้น ทำให้ Ct มีค่าต่ำ จากลักษณะดังกล่าว เราจึงนำวาริแคปไปใช้ในวงจรปรับความถี่ เช่น วงจรจูนความถี่อัตโนมัติ (Automatic Fine Tunning ; AFC) และวงจรกรองความถี่ซึ่งปรับช่วงความถี่ได้ตามต้องการ (Variable Bandpass Filter) เป็นต้น แอลอีดี (Light Emitting Diode ; LED) LED เป็นไดโอดที่ใช้สารประเภทแกลเลี่ยมอาร์เซ็นไนต์ฟอสไฟต์ (Gallium Arsenide Phosphide ; GaAsP) หรือสารแกลเลี่ยมฟอสไฟต์ (Gallium Phosphide ; GaP) มาทำเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p และ n แทนสาร Si และ Ge สารเหล่านี้มีคุณลักษณะพิเศษ คือ สามารถเรืองแสงได้เมื่อได้รับไบอัสตรง การเกิดแสงที่ตัว LED นี้เราเรียกว่า อิเล็กโทรลูมินิเซนต์ (Electroluminescence) ปัจจุบันนิยมใช้ LED แสดงผลในเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ เช่น เครื่องคิดเลข,นาฬิกา เป็นต้น

เจเฟต ( JFET)

เจเฟต ( JFET)
เจเฟตชนิดเอ็นแชนแนล JFET ชนิด N แชนแนลแบบเบื้องต้น ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิด N เป็นสารกึ่งตัวนำตอนใหญ่ และมีสารกึ่งตัวนำชนิด P ตอนเล็กสองตอน ประกอบร่วมด้านข้าง ใช้การต่อเชื่อมกันแบบแพร่กระจาย ( Deffused ) โครงสร้างและสัญลักษณ์แสดงดังรูป
JFET ชนิด N แชนแนล
จากรูป เป็นโครงสร้างและสัญลักษณ์ของ JFET ชนิด N แชนแนล รูป (ก) เป็นโครงสร้างของ JFET ชนิด N แชนแนล ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำตอนใหญ่ชนิด N มีขาต่ออกมาใช้งาน 2 ขา คือ ขาเดรน ( Drain ) หรือ D และขาซอส ( Source ) หรือ S ส่วนของเดรนและซอสนี่เองเป็นส่วนที่บอกถึงแชนแนลของ JFET และด้านข้างมีสารกึ่งตัวนำชนิด P ตอนเล็ก 2 ตอน ประกอบร่วมอยู่ มีขาต่อออกมาเป็นขาเกต ( Gate ) หรือ G
ส่วนรูป (ข) เป็นสัญลักษณ์ของ JFET ชนิด N แชนแนล มีหัวลูกศรชี้เข้าแสดงไว้ที่ขาเกต บอกให้ทราบว่าขาเกตเป็นสารชนิด P ( Positive ) (ใช้หลักการท่องจำบวกเข้า ลบออก เช่นเดียวกับทรานซิสเตอร์) ซึ่งจะเป็นสารชนิดตรงข้ามกับขาเดรนและขาซอส
การจ่ายไบอัสที่ถูกต้องให้ JFET ต้องจ่ายไบอัสดังนี้ จ่ายไบอัสตรงให้ขา S จ่ายไบอัสกลับให้ขา D กับขา G เทียบกับขา S ลักษณะวงจรไบอัสเบื้องต้น แสดงดังรูป
วงจรไบอัสเบื้องต้นของ JFET ชนิด N แชนแนล
จากรูป เป็นวงจรไบอัสเบื้องต้นของ JFET ชนิด N แชนแนล การทำงานของวงจรอธิบายได้ดังนี้ ถ้าจ่ายไบอัสให้เฉพาะขา D กับขา S ด้วยแรงดัน VDD จะมีกระแสเดรน ( ID ) ไหลผ่านระหว่างขา D กับขา S สูงมากกว่าค่าหนึ่ง กระแส ID ไหลคงที่ตลอดเวลา นั่นคือ JFET ทำงาน เมื่อจ่ายแรงดัน VGG เป็นลบให้ขา G เทียบกับขา S เป็นการจ่ายไบอัสกลับให้รอยต่อขา G กับขา S เหมือนกับการจ่ายแรงดันไบอัสให้กับไดโอด ทำให้เกิดดีพลีชันริจินขึ้นระหว่างรอยต่อ PN ดีพลีชันริจินนี้เป็นตัวขัดขวางการไหลของกระแส ID ที่ไหลระหว่างขา D กับขา S ให้ไหลได้น้อยลง ยิ่งจ่ายไบอัสกลับให้ขา G มากขึ้น ดีพลีชันริจินระหว่างรอยต่อ PN ยิ่งขว้างขึ้น ยิ่งเกิดการต้านกระแส ID ให้ไหลน้อยลง นั่นคือเกิดค่าความต้านทานระหว่างขา D กับขา S มีค่ามากขึ้น ค่าความต้านทานนี้จะเปลี่ยนแปลงไปตามค่าแรงดันไบอัสกลับที่ขา G กับขา S ทำให้กระแส ID ไหลเปลี่ยนแปลงตามไปด้วย กระแส ID ที่ไหลเปลี่ยนนี้สามารถควบคุมได้โดยการเปลี่ยนแปลงค่าแรงดัน VGG
เจเฟตชนิดพีแชนแนล
JFET ชนิด P แชนแนลเบื้องต้น ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิด P เป็นสารกึ่งตัวนำตอนใหญ่ และมีสารกึ่งตัวนำชนิด N ตอนเล็กสองตอน ประกอบร่วมด้านข้างใช้การเชื่อมกันแบบแพร่กระจาย โครงสร้างและสัญลักษณ์แสดงดังรูป
จากรูป เป็นโครงสร้างและสัญลักษณ์ของ JFET ชนิด P แชนแนล ซึ่งคล้ายกับชนิด N แชนแนล แตกต่างเพียงใช้สารกึ่งตัวนำชนิดตรงกันข้าม และสัญลักษณ์มีหัวลูกศรชี้ออกที่ขา G เป็นการบอกให้ทราบว่าขา G เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด N ( Negative ) ซึ่งจะเป็นสารชนิดตรงข้ามกับขา D กับขา S การจ่ายไบอัสที่ถูกต้องให้ JFET ชนิด P แชนแนล ต้องจ่ายไบอัสในลักษณะเดียวกับชนิด N แชนแนล คือจ่ายไบอัสตรงให้ขา S จ่าไบอัสกลับให้ขา D กับขา G เทียบกับขา S ลักษณะวงจรไบอัสเบื้องต้น แสดงดังรูป
วงจรไบอัสเบื้องต้นของ JFET ชนิด P แชนแนล
จากรูป เป็นวงจรไบอัสเบื้องต้นของ JFET ชนิด P แชนแนล การทำงานของวงจรอธิบายได้ดังนี้ ถ้าจ่ายไบอัสให้เฉพาะขา D กับขา S ด้วยแรงดัน VDD จะมีกระแส ID ระหว่างขา S กับขา D สูงมากค่าหนึ่ง มีค่ากระแสคงที่ตลอดเวลา นั่นคือ JFET ทำงานเมื่อจ่ายแรงดัน VGG เป็นบวกให้ขา G เทียบกับขา S เป็นการจ่ายไบอัสกลับให้รอยต่อขา G กับขา S เหมือนกับการจ่ายไบอัสกลับให้ไดโอด ทำให้เกิดแบตเตอรี่สมมติหรือดีพลีชันริจินขึ้นระหว่างรอยต่อ PN ดีพลีชันริจินนี้เป็นตัวขัดขวางการไหลของกระแส ID ที่ไหลระหว่างขา S กับขา D ให้ไหลน้อยลง ยิ่งจ่ายไบอัสกลับให้ขา G มากขึ้น ดีพลีชันริจินระหว่างรอยต่อ PN จะยิ่งกว้างขึ้นยิ่งเกิดการต้านกระแส ID ให้ไหลน้อยลงไปอีก นั่นคือเกิดความต้านทานระหว่างขา D กับขา S ค่าความต้านทานนี้เปลี่ยนแปลงตามไปด้วย กระแส ID ที่ไหลเปลี่ยนแปลงนี้สามารถควบคุมได้โดยการเปลี่ยนแปลงค่าแรงดัน VGG

ยูนิจังชัน ทรานซิสเตอร์ ( UJT )

ยูนิจังชัน ทรานซิสเตอร์ ( UJT )
UJT ทำหน้าที่ให้ความช่วยเหลือในการทำงานของอุปกรณ์และวงจรต่าง ๆ UJT เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิด 2 ตอน คือสารชนิด P และสารชนิด N คล้ายไดโอด แต่มีขาต่ออกมาใช้งาน 3 ขา UJT ไม่จัดอยู่ในอุปกรณ์กึ่งตัวนำจำพวกไธริสเตอร์ เพราะโครงสร้างไม่ได้ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำ 4 ตอน UJT มักถูกเรียกว่าไดโอดชนิดเบสคู่ โดยมีขาเบสต่ออกมาใช้งาน 2 ขา และขาอิมิเตอร์ 1 ขา
วงจรสมมูลของ UJT เขียนออกได้เป็นตัวต้านทานต่อออกมาที่ขา B1 และขา B2 เป็นไดโอดต่อขาร่วมของตัวต้านทาน และต่อออกมาที่ขา E ไบอัสจ่ายให้ UJT ต้องจ่ายบวกให้ B2 จ่ายลบให้ B1 และจ่ายบวกให้ E เทียบกับ B1 ตัว UJT จะเริ่มทำงานเมื่อมีกระแส IE ไหลในวงจร มีผลต่อความต้านทานในตัว UJT เปลี่ยนแปลง เกิดการเปลี่ยนแปลงทั้งแรงดันและกระแสในตัว UJT สภาวะดังกล่าวคือ การทำงานของตัว UJT เมื่อนำค่าการทำงานไปเขียนกราฟคุณสมบัติระหว่างแรงดัน VE ปละกระแส IE ได้กราฟคุณสมบัติออกมา มีค่าแรงดันตกคร่อมขา E และขา B1 เพิ่มขึ้นหรือลดลงไม่เป็นไปตามค่ากระแส IE ที่ไหลในตัว UJT
การเลือก UJT ไปใช้งานให้เหมาะสมถูกต้อง ควรเลือก UJT จากตารางข้อมูลรายละเอียดโดยพิจารณาจากรายละเอียดและขีดจำกัดที่สำคัญของ UJT รายละเอียดนอกจากจะขึ้นอยู่กับค่าที่บอกไว้แล้ว ยังต้องคำนึงถึงค่าอุณหภูมิในบริเวณที่นำ UJT ไปใช้งานด้วย เพราะรายละเอียดและขีดจำกัดที่บอกไว้ ทดสอบที่อุณหภูมิห้อง 25 ํC ถ้าการใช้งานของ UJT ในอุณหภูมิที่แตกต่างไปค่าคุณสมบัติในตัว UJT ก็จะเปลี่ยนแปลงตามไปด้วย
UJT ถูกผลิตขึ้นมาเพื่อใช้งานร่วมกับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอื่น ๆ ทำหน้าที่เป็นอุปกรณ์กระตุ้นโดยให้กำเนิดความถี่ขึ้นมาที่ขาต่าง ๆ ของ UJT วงจรทำงานของ UJT ที่เป็นวงจรหลักคือ วงจรกำเนิดความถี่แบบรีแลกเซซั่น รูปร่างสัญญาณที่ได้ตามขาต่าง ๆ ของ UJT แตกต่างกัน ที่ขา อิมิตเตอร์ได้สัญญาณอินทิเกรต ที่ขาเบส 2 ได้สัญญาณพัลส์ลบ และที่ขาเบส 1 ได้สัญญาณพัลส์บวก ตำแหน่งของการเกิดสัญญาณเกิดพร้อมกัน เวลาในการเกิดสัญญาณเปลี่ยนแปลงได้ตามค่า R และ C ที่ต่อวงจรเป็นค่าเวลาคงที่
การประยุกต์ใช้งานของ UJT ร่วมกับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอื่น ๆ สามารถนำ UJT ไปร่วมใช้งานได้กับอุปกรณ์เกือบทุกนิด แต่สิ่งสำคัญในการนำ UJT ไปร่วมใช้งาน คือ ต้องจำไว้เสมอว่าตัว UJT เองจ่ายกำลังไฟฟ้าออกมาได้ต่ำ ไม่สามารถนำไปใช้งานเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังได้โดยตรง แต่สามารถนำไปใช้ควบคุมการทำงานของอิเล็กทรอนิกส์กำลังได้ นั่นคือ วงจร UJT จะทำหน้าที่เป็นวงจรควบคุมการทำงานเสมอ
โฟโต้ไดโอด (Photo diode)
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกระแสได้ก็เนื่องจากการให้พลังงานเพื่อดึงอิเลคตรอนให้หลุดจากบอนด์ เป็นผลทำให้เกิดอิเลคตรอนอิสระและโฮล และเมื่อให้แรงดันไฟฟ้าจะเกิดสนามไฟฟ้าในแท่งสารนั้นเป็นผลทำให้ประจุอิเลคตรองและโฮล เคลื่อนที่ โฟโต้ไดโอดจึงมีหลักการทำงานโดยอาศัยแสงในการเพิ่มพลังงานให้กับอิเลคตรอนในเนื้อสารกึ่งตัวนำ



แสดงวงจรโฟโต้ไดโอดและกราฟแสดงความสัมพันธ์ของกระแสกับความเข้มของแสง
วงจรโฟโต้ไดโอดเบื้องต้นต่อเป็นวงจรความต้านทานโหลดและแหล่งจ่ายไฟดังรูป โดยปกติไดโอดจะถูกไบแอสตรงแต่ในขณะที่ไบแอสตรงนี้ จำนวนอิเลคตรอนและโฮลที่ในเนื้อสารมีจำนวนไม่มากนัก ดังนั้นกระแสที่ไหลในวงจรจึงเป็นส่วนน้อย ครั้นเมื่อส่วนของสารกึ่งตัวนำมีแสงส่องถูก จะทำให้เนื้อสารเกิดอิเลคตรอนอิสระและโฮลเกิดขึ้นเป็นจำนวนมาก จำนวนอิเลคตรอนอิสระที่เกิดขึ้นจะแปรตรงกับความเข้มของแสงแต่เมื่อเพิ่มความเข้มของแสงจนถึงค่าหนึ่งจะไม่มีการเพิ่มของอิเลคตรอนอิสระอีกแล้วในช่วงนี้เราจะเรียกว่า ช่วงอิ่มตัว ในขณะที่ไม่มีแสงตกกระทบจำนวนกระแสที่ไหลผ่านตัวไดโอดนี้เรียกว่า กระแสมืด

โครงสร้างของทรานซิสเตอร์
ได้กล่าวมาแล้วว่าทรานซิสเตอร์ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำ 3 ชิ้นต่อเชื่อมกัน ดังนั้นจึงมีรอยต่อ pn จำนวน 2 ตำแหน่งตำแหน่งที่อิมิตเตอร์กับเบสเชื่อมกันเป็นรอยต่อ pn เรียกว่า รอยต่ออิมิเตอร์ *** เบส (Emitter Base Juntion) ส่วนตำแหน่งที่ คอลเลคเตอร์กับเบสต่อเชื่อมกันเรียกว่า รอยต่อคอลเลคเตอร์ *** เบส (Collector Base Juntion) เขียนแทนได้ด้วย ค่าเทียบเคียงของไดโอด เมื่อนำหลักการ มาร่วมพิจารณา ทำให้ทราบว่าการที่จะนำทรานซิสเตอร์ไปใช้งานได้นั้นต้องต่อแรงดัน ไฟฟ้าเพื่อทำการไบอัสที่รอยต่อหรือไดโอดเทียบเคียงทั้งสอง เนื่องจากทรานซิสเตอร์ มี 3 ขั้ว การต่อแรงดันไฟฟ้าที่ขั้วเพื่อให้ทราน ซิสเตอร์ทำงานจึงเป็นไปได้ 3 แบบคือ การให้ทรานซิสเตอร์ทำงานที่บริเวณคัตออฟ (Cut *** off Region) การให้ทรานซิสเตอร์ทำงานที่บริเวณอิ่มตัว (Saturation Region) การให้ทรานซิสเตอร์ทำงานที่บริเวณแอกตีฟ (Active Region) ในการอธิบายถึงการทำงานที่บริเวณต่าง ๆ ของทรานซิสเตอร์นั้น จะเริ่มต้นจากกรณีไม่มีการต่อแรงดันที่ขั้ว ของทรานซิสเตอร์ หรือกรณีไม่ได้รับการไบอัส
ทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อหรือ BJT นี้ ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิดพีและเอ็นต่อกัน โดยการเติมสารเจือปน (Doping) จำนวน 3 ชั้นทำให้เกิดรอยต่อ (Junction) ขึ้นจำนวน 2 รอยต่อ การสร้างทรานซิสเตอร์จึงสร้างได้ 2 ชนิด คือ ชนิดที่มีสารชนิด N 2 ชั้น เรียกว่าชนิด NPN และชนิดที่มีสารชนิด P 2 ชั้น เรียกว่าชนิด PNเมื่อพิจารณาจากรูปจะเห็นว่าโครงสร้างของทรานซิสเตอร์จะมีสารกึ่งตัวนำ 3 ชั้น แต่ละชั้นจะต่อลวดตัวนำจากเนื้อสารกึ่งตัวนำไปใช้งาน ชั้นที่เล็กที่สุด (บางที่สุด) เรียกว่า เบส (Base) ตัวอักษรย่อ B สำหรับสารกึ่งตัวนำชั้นที่เหลือคือ คอลเลกเตอร์ (collector หรือ c) และอิมิตเตอร์ (Emitter หรือ E) นั่นคือทรานซิสเตอร์ทั้งชนิด NPN จะมี 3 ขา คือ ขาเบส ขาคอลเลกเตอร์ ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์นิยมเขียนทรานซิสเตอร์แทนด้วยสัญลักษณ์ดังรูป
P โครงสร้างของทรานซิสชนิด NPN และชนิด PNP


ประเภทของทรานซิสเตอร์ (Type of Transistors)
ทรานซิสเตอร์แบ่งตามโครงสร้างได้ 2 ประเภท คือ ทรานซิสเตอร์แบบ npn (npn Transistor) และทรานซิสเตอร์แบบ pnp (pnp Transistor) ทรานซิสเตอร์แบบ npn ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิด n จำนวน 2 ชิ้นต่อเชื่อมกับสารกึ่งตัวนำชนิด p จำนวน 1 ชิ้น แสดงสัญลักษณ์เป็นดังรูป ทรานซิสเตอร์แบบ pnp ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิด p จำนวน 2 ชิ้นต่อเชื่อมกับสารกึ่งตัวนำชนิด n จำนวน 1 ชิ้น แสดงสัญลักษณ์เป็นดังรูป

ไดโอด

ไดโอด

ไดโอด(Diode) ถือเป็นอิเล็กทรอนิกส์ชนิดหนึ่ง ที่จำกัดทิศทางการไหลของประจุไฟฟ้า มันจะยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลในทิศทางเดียว และกั้นการไหลในทิศทางตรงกันข้าม ดังนั้นจึงอาจถือว่าไดโอดเป็นวาล์วตรวจสอบแบบอิเล็กทรอนิกส์อย่างหนึ่ง ซึ่งนับเป็นประโยชน์อย่างมากในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ใช้เป็นเรียงกระแสไฟฟ้าในวงจรภาคจ่ายไฟ เป็นต้น
ไดโอดตัวแรกเป็นอุปกรณ์หลอดสูญญากาศ (vacuum tube หรือ valves) แต่ทุกวันนี้ไดโอดที่ใช้ทั่วไปส่วนใหญ่ผลิตจากสารกึ่งตัวนำ เช่น ซิลิกอน หรือ เจอร์เมเนียม
ไดโอดเป็นอุปกรณ์ที่ทำจากสารกึ่งตัวนำ p-n สามารถควบคุมให้กระแสไฟฟ้าจากภายนอกไหลผ่านตัวมันได้ทิศทางเดียว ไดโอดประกอบด้วยขั้ว 2 ขั้ว คือ แอโนด (Anode; A) ซึ่งต่ออยู่กับสารกึ่งตัวนำชนิด p และ แคโธด (Cathode; K) ซึ่งต่ออยู่กับสารกึ่งตัวนำชนิด n
1 ประเภทของไดโอด

1.1 ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode)
1.2 ไดโอดวาแรกเตอร์หรือวาริแคป (Varactor or Varicap Diode)
1.3 แอลอีดี (Light Emitting Diode ; LED)
1.4 โฟโตไดโอด (Photo Diode)
1.5 ไดโอดกำลัง (Power Diode)

ทรานซิสเตอร์ (TRANSISTOR) คือ สิ่งประดิษฐ์ทำจากสารกึ่งตัวนำมีสามขา (TRREE LEADS) กระแสหรือแรงเคลื่อน เพียงเล็กน้อยที่ขาหนึ่งจะควบคุมกระแสที่มีปริมาณมากที่ไหลผ่านขาทั้งสองข้างได้ หมายความว่าทรานซิสเตอร์เป็นทั้งเครื่องขยาย (AMPLIFIER) และสวิทซ์ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อเรียกด้ายตัวย่อว่า BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) ทรานซิสเตอร์ (BJT) ถูกนำไปใช้งานอย่างแพร่หลาย เช่น วงจรขยายในเครื่องรับวิทยุและเครี่องรับโทรทัศน์หรือนำไปใช้ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่ทำหน้าที่เป็นสวิทซ์ (Switching) เช่น เปิด *** ปิด รีเลย์ (Relay) เพื่อควบคุมอุปกรณ์ไฟฟ้าอื่นเป็นต้น

การทำงานของหัวใจแบ่งเป็น 3 ส่วนสำคัญคือ - การควบคุมสั่งการจากระบบประสาท - การนำสัญญาณไฟฟ้าในหัวใจ - การบีบตัวและคลายตัวของหัวใจ
การควบคุมสั่งการจากระบบประสาท โดยปกติหัวใจจะถูกควบคุมโดยระบบประสาทอัตโนมัติ(Autonomic nervous system)จากบริเวณ ก้านสมอง (Brainstem) ด้วยเส้นประสาทจากสมอง 2 ชนิดคือ เส้นประสาทซิมพาเธติค (Sympathetic nerve fibers) และเส้นประสาทเวกัส(vagal motor nerve fibers) ซึ่งจะส่งสัญญาณประสาทมาที่ SA node โดยที่เส้นประสาทซิมพาเธติคจะทำให้ SA node ทำงานเร็วขึ้น ทำให้หัวใจเต้นเร็วขึ้น ขณะที่เส้น ประสาทเวกัส จะทำให้ SA node ทำงานช้าลง ทำให้หัวใจทำงานช้าลง นอกจากนี้แล้วส่วนของหัวใจและหลอดเลือดจะประกอบด้วยตัวรับสัญญาณประสาทที่เราเรียกว่า receptors ซึ่งจะถูกควบคุมทั้ง จากระบบประสาทซิมพาเธติค และระบบประสาทพาราซิมพาเธติค อันจะมีผล ต่อความเร็วและความแรงในการบีบตัวของหัวใจ การหดและขยายตัวของหลอดเลือด ซึ่งมีรายละเอียด ค่อนข้าง ซับซ้อนจะไม่ขอกล่าวถึงรายละเอียดในขณะนี้
การนำสัญญาณไฟฟ้าในหัวใจ โดยปกติหัวใจจะมีส่วนที่เป็นฉนวนไฟฟ้ากั้นระหว่างหัวใจห้องบนและห้องล่าง เราเรียกว่า annulus fibrosus แต่หัวใจมีระบบ การนำสัญญาณไฟฟ้าเฉพาะที่เราเรียกว่า cardiac conduction system ซึ่งจะทำ หน้าที่นำสัญญาณไฟฟ้าจากหัวใจห้องบนลงสู่ห้องล่าง เมื่อสัญญาณไฟฟ้ากระตุ้นกล้ามเนื้อหัวใจจะทำให้เกิดการหดตัวของกล้ามเนื้อหัวใจและตามด้วยการ คลายตัวของกล้ามเนื้อหัวใจ เมื่อสัญญาณไฟฟ้าผ่านไป หัวใจจึงมีการบีบตัวจากหัวใจห้องบนลงสู่หัวใจห้องล่างแล้วตามด้วยการบีบตัวของหัวใจห้องล่างส่งเลือดต่อไป ให้เส้นเลือดแดง พัลโมนารี่และ เส้นเลือดแดงเอออร์ตา และด้วยระยะเวลาการบีบตัวที่พอเหมาะ ระหว่างหัวใจห้องบนและห้องล่าง จะทำให้เลือดไหลจาก หัวใจห้องบน ลงสู่ห้องล่างได้อย่างเต็มที่ จุดเริ่มของการ นำไฟฟ้าในหัวใจ เริ่มที่หัวใจห้องบนขวาในบริเวณที่เราเรียกว่า SA node หรือ sinoatrial node หรือ sinus node จากนั้นสัญญาณไฟฟ้าจะกระตุ้นไปตามผนังของหัวใจห้องบนทั้งขวาและซ้ายและลงสู่บริเวณที่เราเรียกว่า AV node หรือ Atrioventricular node และที่ตำแหน่งนี้สัญญาณจะถูกหน่วงเวลาให้ช้าลงชั่วครู่ก่อนจะส่ง สัญญาณไฟฟ้าต่อลงไปข้างล่าง ซึ่งจะเป็นจังหวะเดียวกับที่รอให้หัวใจห้องบนบีบเลือดลงสู่หัวใจห้องล่างนั่นเอง จาก AV node สัญญาณไฟฟ้าจะเดินทางต่อมายัง มัดเส้นใยประสาทที่เราเรียกว่า Bundle of His และแยกออกเป็น 2 แขนงซ้ายขวา โดยแขนงด้านขวาทอดยาวมาตามด้านขวาของผนังกั้นหัวใจห้องล่าง ส่วนแขนงด้านซ้ายซึ่งใหญ่กว่าจะแทงทะลุผ่านผนังกั้นหัวใจไปทางซ้ายและแยกออกเป็น 2 แขนงคือ ด้านหน้าและด้านหลัง จากนั้นจะผ่านเข้าไปยังร่างแหของเส้นใยประสาทที่เราเรียกว่า Purkinje fibers ซึ่งอยู่ใต้ต่อเยื่อบุ ด้านในของหัวใจ(endocardium) และไปกระตุ้นกล้ามเนื้อหัวใจด้านล่างทำให้เกิดการบีบตัวในที่สุด